ABB 二极管5SDD 08T5000

   2025-04-11 290
核心提示:Rectifier DiodeProperties Key ParametersVRRM = 5 000 VIFAVm = 1 028 AIFSM = 12 000 AVTO = 0.894 VrT = 0.487 mΩ·low for
Rectifier Diode 

Properties Key Parameters 

VRRM = 5 000 V 

IFAVm = 1 028 A 

IFSM = 12 000 A 

VTO = 0.894 V

rT = 0.487 mΩ

·low forward voltage drop 
· low recovery charge 
· high operating temperature 
· low leakage current  
Applications 

· Rectifier bridges

日立能源提供范围广泛的快速恢复二极管、标准恢复二极管和焊接二极管。 
设备特性:

·32 至 144 mm 晶圆
·175 A 至 13500 A
·200 伏至 8500 伏
·自由浮动、LTB 和合金化技术
典型二极管应用:

·驱动器
·中性点钳形二极管 (NPC)
·交流驱动器的输入整流器
·金属熔化和电解

 
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