ABB 二极管5SDF 10H6004

   2025-04-17 70
核心提示:5SDF 10H6004Fast Recovery DiodeVRRM = 6000 VIF(AV)M = 1100 AIFSM = 18×103 AV(T0) = 1.5 VrT = 0.6 mWVDC-b = 3800 V· Pat

5SDF 10H6004 

Fast Recovery Diode 

VRRM = 6000 V 

IF(AV)M = 1100 A 
IFSM = 18×103 A 
V(T0) = 1.5 V 
rT = 0.6 mW
VDC-b = 3800 V 
· Patented free-floating silicon technology 
· Low on-state and switching losses 
· Optimized for use as freewheeling diode in high-voltage GTO converters 
· Industry standard housing 

· Cosmic radiation withstand rating

日立能源提供范围广泛的快速恢复二极管、标准恢复二极管和焊接二极管。 
设备特性:

·32 至 144 mm 晶圆
·175 A 至 13500 A
·200 伏至 8500 伏
·自由浮动、LTB 和合金化技术
典型二极管应用:

·驱动器
·中性点钳形二极管 (NPC)
·交流驱动器的输入整流器
·金属熔化和电解

 
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