Reverse Conducting Integrated
Gate-Commutated Thyristor5SHX 36L4520
Preliminary
VDRM = 4500 V
ITGQM = 3600 AITSM = 15.0·103 A
VT0 = 1.59 V
rT = 0.74 mΩ
VDC = 2800 V
• High snubberless turn-off rating
• Optimized for low switching losses
• High electromagnetic immunity
• Simple control interface with status feedback
• AC or DC supply voltage
所有日立能源 IGCT（集成门极换向晶闸管）都是压接封装器件。以大力将 GTO 压接到散热器上，而散热器也当作电源端子的电触点。
IGCT 的开/关控制单元是组件不可分割的一个元件。它只需要外部电源，通过光纤连接便可方便访问其控制功能。设备的控制功耗通常在 10 - 100 W 之间。
IGCT 针对低传导损耗而优化。其典型的开/关频率在 500 赫兹范围内。然而，与 GTO 相比，上部开关频率仅受到操作热损耗和系统散热能力的限制。此功能结合设备在开/关状态之间的快速转换，能够实现开关频率高达 40 kHz 的短开/关脉冲串。
IGCT 需要导通保护网络（本质上是电感器）来限制电流上升速率。但是，与 GTO 相比，关断保护网络是可选的。若以略低的关断电流能力为代价，则可以忽略不计。
